La evolución de la memoria RAM ha sido marcada por hitos significativos en su desarrollo. Inicialmente, la memoria de núcleo magnético fue fundamental, aunque limitada en capacidad. Sin embargo, con la llegada de los circuitos integrados en los años 60 y 70, se dio paso a la era de la memoria DRAM basada en semiconductores de silicio.
La memoria DRAM alcanzó un hito crucial con la comercialización exitosa de la referencia 1103 en 1970, marcando el declive de la memoria de núcleo magnético. Posteriormente, la introducción de la multiplexación en tiempo de direcciones en 1973 permitió una mayor miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM.
Con el tiempo, surgieron mejoras como los módulos SIMM y las tecnologías FPM-RAM, EDO-RAM y BEDO-RAM, cada una ofreciendo avances en velocidad y eficiencia para satisfacer las demandas de los procesadores más rápidos y el creciente ancho de banda requerido. Aunque BEDO-RAM prometía ventajas significativas, nunca llegó al mercado masivo debido a la preferencia por esquemas de memoria sincrónicos.
